Новинка Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR3 8GB 1600 MHz eXceleram (E30148A)

Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR3 8GB 1600 MHz eXceleram (E30148A)

Основные характеристики:
DDR3, 8 ГБ, В наборе - 1, 1600 МГц, CL11, 1.5 В, 204-pin SO-DIMM, non-ECC, нет, 120 месяцев
Наличие:
Под заказ✓ Доставка 2-5 дней
Код:
SU0054816
659 грн
(Сборка) Потребляемая мощность 5 Вт
Артикул E30148A
Буферизация unbuffered
Гарантия 120 месяцев
Гарантия, мес 120
Количество модулей в наборе 1
Модель SoDIMM DDR3 8GB 1600 MHz
Напряжение питания 1.5 В
Объем памяти 8 ГБ
Охлаждение нет
Примечание Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку.
Проверка и коррекция ошибок (ECC) non-ECC
Производитель eXceleram
Стандарты памяти PC3-12800
Страна производства Тайвань
Тайминги CL11
Также ищут 8 ГБ DDR3
Тип памяти DDR3
Форм-фактор памяти 204-pin SO-DIMM
Частота памяти 1600 МГц
Память SoDIMM DDR3 8GB 1600 MHz eXceleram EXC (1X8GB) CL11 1.5V поможет ускорить обмен данными на компьютере. Оперативная память незаменима для выполнения различных задач, таких как: работа с объемными текстами, таблицами, графиками; архивирование, шифрование, работа с базами данных; компьютерные игры, а также многие другие задачи.

DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.
Преимущества по сравнению с DDR2:
- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/ с),
- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания),
- меньшее энергопотребление и улучшенное энергосбережение.

Модули памяти SoDIMM DDR3 8GB 1600 MHz eXceleram EXC (1X8GB) CL11 1.5V созданы на базе новейшего поколения технологии DDR. Как и все модули памяти компании eXceleram, модули памяти DDR3 спроектированы и созданы таким образом, чтобы полностью соответствовать всем требованиям энтузиастов в области разгона ПК. Модули памяти DDR3 обеспечивают более высокую скорость, более низкое время задержки, более высокую пропускную способность и уменьшенное энергопотребление по сравнению с модулями памяти DDR2.
Вас также могут заинтересовать