Новинка
Модуль памяти для компьютера DDR3 4GB 1333 MHz Team (TED34G1333C901 / TED34GM1333C901)
Основные характеристики:
DDR3, 4 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 1333 МГц, Тайминги - CL9, Напряжение питания - 1.5 В - 1.65 В
Наличие:
Под заказ✓ Доставка 2-5 дней
Код:
SU0036920
569 грн
| (Сборка) Потребляемая мощность | 6 Вт |
| Артикул | TED34G1333C901 / TED34GM1333C901 |
| Гарантия, мес | 60 |
| Количество модулей в наборе | 1 |
| Модель | DDR3 4GB 1333 MHz |
| Напряжение питания | 1.5 В - 1.65 В |
| Объем памяти | 4 ГБ |
| Охлаждение | нет |
| Примечание | Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку. |
| Производитель | Team |
| Страна производства | Тайвань |
| Тайминги | CL9 |
| Тип памяти | DDR3 |
| Частота памяти | 1333 МГц |
Модуль памяти DDR3 4GB 1333 MHz Team (TED34G1333C901) имеет параметр CL9, что обозначает величину латентности, равную 9. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.
DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.
DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.
Вас также могут заинтересовать
Новинка
DDR3, 8 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 1333 МГц, Тайминги - CL9, Напряжение питания - 1.5 В..
Новинка
DDR3, 4 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 1600 МГц, Тайминги - CL11, Напряжение питания - 1.5 В..
Новинка
Код: SU0212138
4 242 грн
DDR4, 32 ГБ, В наборе - 2, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL16, Напряжение питания - 1.35 В..
Новинка
DDR3, 8 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 1333 МГц, Тайминги - CL9, Напряжение питания - 1.5 В..
Новинка
DDR3, 4 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 1600 МГц, Тайминги - CL11, Напряжение питания - 1.35 В..